18922924269
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中文
短時(shí)多脈沖HiPIMS技術(shù)&低偏壓、低應(yīng)力的DLC薄膜
DOMS（短時(shí)多脈沖HiPIMS技術(shù)）的18個(gè)連續(xù)短振蕩顯著減少了離子回吸，并利用脈沖間殘留等離子體促進(jìn)再點(diǎn)燃，使到達(dá)基底的碳離子流密度提高至4倍，從而實(shí)現(xiàn)離子輔助沉積。
DOMS（短時(shí)多脈沖HiPIMS技術(shù)）的18個(gè)連續(xù)短振蕩顯著減少了離子回吸，并利用脈沖間殘留等離子體促進(jìn)再點(diǎn)燃，使到達(dá)基底的碳離子流密度提高至4倍，從而實(shí)現(xiàn)離子輔助沉積。